敷ZrC的Mo Spindt阵列阴极的发射性能

• 作者: 丁明清 冯进军 张甫权 李兴辉 李含雁 白国栋
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: Mo Spindt阵列阴极 ZrC FEA 发射电流密度 开启电压 场解吸附
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 工艺与应用
• 页码范围: 57-60
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2480字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2006.03.018

摘要

对Spindt阵列阴极表面涂敷ZrC薄膜后的发射性能进行了研究.本实验采用原位沉积的方法实现ZrC薄膜的涂敷,所谓原位沉积就是在沉积完Mo尖锥后,立刻沉积ZrC薄膜,其中,ZrC厚度为5～10 nm.涂敷ZrC薄膜后的Spindt阵列阴极(ZrC FEA)在相同条件下与Mo阵列相比呈现出良好的发射性能,如相同栅极电压下的发射电流密度升高,开启电压降低.为清洁和光滑发射体表面,本实验在测试前对ZrC FEA进行了场解吸附处理,并比较了ZrC FEA在处理前后发射性能的变化.