基于CMOS工艺的一种低功耗高增益低噪声放大器

• 作者: 李竹
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: CMOS工艺 低噪声放大器 LC谐振 两级共源
• 年，卷（期）: 2006,（20）
• 所属期刊栏目: 元器件与应用
• 页码范围: 30-32
• 页数: 3页
• 分类号: TN7
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2006.20.012

摘要

采用0.18 μm CMOS工艺,两级共源结构实现了低功耗高增益的低噪声放大器设计.共源结构的级联采用电流共享技术,从而达到低功耗的目的.电路的输入端采用源极电感负反馈实现50 Ω阻抗匹配,同时两级共源电路之间通过串联谐振相级联.该LNA工作在5.2 GHz,1.8 V电源电压,能提供20 dB的增益(S21为20 dB),而噪声系数为1.9 dB,输入匹配较好,S11为-32 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李竹	南京理工大学自动化学院	21	106	6.0	9.0