俄歇复合对同质结InGaAs探测器探测率的影响

• 作者: 宋航 时宝 李龙海 杜国同 殷景志 王一丁 缪国庆 蒋红 金亿鑫
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: InGaAs探测器 探测率 Auger复合
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 123-127
• 页数: 5页
• 分类号: TN929.11
• 字数: 2644字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2006.02.005

摘要

通过对InGaAs材料的俄歇(Auger)复合机制的理论分析,给出了少子寿命与材料组分、温度和载流子浓度的关系,从而得到材料参数等对InGaAs探测器的探测率影响的结果,优化材料参数和器件结构可抑制Auger复合机制,提高InGaAs探测器的探测率.