直流大电压下 GaN HEMT电流崩塌效应探索

• 作者: 周伟 夏建新 杜江锋 杨谟华 罗谦 龙飞
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电流崩塌效应 Ga NHEMT 陷阱 物理模型
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 227-230
• 页数: 4页
• 分类号: TN302
• 字数: 2213字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.058

摘要

基于GaN HEMT器件物理和实验分析测试结果,提出了一种GaN电流崩塌效应的新物理模型.研究表明,在大漏极电压条件下,沟道电子易于注入到GaN缓冲层中,并被缓冲层中的陷阱所俘获,耗尽二维电子气,从而导致电流崩塌效应.该模型描述了电流崩塌效应与缓冲层中陷阱的相互关系,并获得了电流崩塌前后迁移率与二维电子气浓度乘积的归一化值.该结果可望用于GaN HEMT器件进一步的理论探讨和实验研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨谟华	电子科技大学微电子与固体电子学院	58	278	8.0	11.0
2	杜江锋	电子科技大学微电子与固体电子学院	18	52	5.0	6.0
3	罗谦	电子科技大学微电子与固体电子学院	19	63	5.0	6.0
4	周伟	电子科技大学微电子与固体电子学院	18	50	5.0	6.0
5	夏建新	电子科技大学微电子与固体电子学院	12	30	4.0	5.0
6	龙飞	电子科技大学微电子与固体电子学院	4	11	2.0	3.0