电场暴露抑制晶状体上皮伤口的愈合

• 作者: 王恩彤 王恩普
• 来源期刊: 眼科
• 学科: 医学
• 关键词: 电场 晶状体上皮 细胞运动 伤口愈合
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 论著
• 页码范围: 274-276
• 页数: 3页
• 分类号: R77
• 字数: 2794字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4469.2006.04.016

摘要

目的探讨电场暴露对晶状体上皮伤口愈合的作用.设计实验研究.研究对象原代培养的牛晶状体上皮细胞.方法钝头玻璃针戳刺原代培养的牛晶状体上皮细胞单层形成圆形微伤口,暴露于场强为200 mV/mm的直流电场2h(n=37),未受电场暴露的伤口作为对照(n=29),由Leica图像分析系统测量伤后0h、1h和2h的伤口面积.用抗F-actin荧光抗体染色观察伤口细胞微丝骨架.主要指标伤口面积及细胞微丝骨架的排列.结果与对照伤口比较,电场暴露伤口愈合延迟,电场暴露伤口伤后2h的平均面积(19106μm2±2167μm2)明显大于未接受电场暴露的对照伤口(8555μm2±1911μm2)(t=2.942,P=0.0045).对照伤口细胞微丝骨架呈向心性排列,电场暴露伤口细胞微丝骨架则沿伤缘呈"索状"排列.结论生理强度的外源性电场可抑制晶状体上皮伤口的愈合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王恩彤	空军总医院耳鼻咽喉头颈外科	38	108	6.0	8.0