多孔硅的电化学制备与研究

• 作者: 宗杨 崔梦 窦雁巍 胡明
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔硅 孔隙率 腐蚀速率 导热率
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 395-398
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 3709字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2006.03.017

摘要

以电化学方法制备了多孔硅材料并通过表面轮廓测试仪、原子力显微镜、显微拉曼光谱仪等设备对制备多孔硅的孔隙率、厚度、表面形貌、以及热导率进行了表征.结果发现,本实验制备的多孔硅属于介孔硅(15～20nm),其孔隙率随腐蚀时间和腐蚀电流的变化有先增大后减小的趋势.增加多孔硅的厚度和孔隙率,可以使得多孔硅的热导率显著降低(最低可低至0.62W/m·K).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡明	天津大学电子信息工程学院	139	1336	19.0	28.0
2	窦雁巍	天津大学电子信息工程学院	13	165	8.0	12.0
3	崔梦	天津大学电子信息工程学院	10	123	7.0	10.0
4	宗杨	天津大学电子信息工程学院	5	55	4.0	5.0