Al-Mg-Si合金GP区及β相界面电子结构分析

• 作者: 侯贤华 崔雪鸿 王庆松 王玉玲
• 来源期刊: 广西科学
• 学科: 工学
• 关键词: Al-Mg-Si合金 GP区 β相 界面电子结构
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 207-211
• 页数: 5页
• 分类号: TG111
• 字数: 4184字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9164.2006.03.014

摘要

运用EET理论对Al-Mg-Si合金GP区(L10型,下同)、β相(Mg2Si)与基体的界面电子结构进行计算,着重从界面电子角度反映时效过程中GP区、β相与基体的界面结合性质、界面原子状态变化及界面对合金有关力学性能的影响,并分析原子状态变化的原因.结果表明:Al-Mg-Si合金GP区与基体界面电子密度在一级近似下连续,GP区粒子易于长大,而β相不连续,抑制了β相再结晶晶粒的长大,但它在高应力下呈现连续,从而提高合金变形抗力.当界面最稳定时,GP区与基体界面的结合强于β相与基体界面的结合,当界面处于非稳定的临界状态时,与最稳定状态相比,GP区与基体界面结合能力下降,而β相升高.最稳定状态下的界面与体内各原子杂阶相比,GP区界面各类原子杂化能级总体上升,β相界面各类原子状态没有变化;当基体界面电子密度由最小值过渡到最大值时,GP区与β相中Si原子的杂阶均降低;GP区界面处基体Al原子的杂阶不变,但β相界面处基体Al原子的杂阶上升.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王玉玲	广西大学物理科学与工程技术学院	9	34	4.0	5.0
2	侯贤华	广西大学物理科学与工程技术学院	5	22	3.0	4.0
3	王庆松	安徽工程科技学院应用数理系	4	4	1.0	2.0
7	崔雪鸿	广西大学物理科学与工程技术学院	1	1	1.0	1.0