苝四酸二酰亚胺的光电导性能研究

• 作者: 夏都灵 彭康 黄子强
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 苝四酸二酰亚胺 光伏安特性 光电灵敏度 电荷放大增益
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 电子信息材料与器件
• 页码范围: 249-252
• 页数: 4页
• 分类号: O472.8
• 字数: 1970字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2006.02.030

摘要

采用光电灵敏度计算电荷放大增益的计算方法,研究了苝四酸二亚酰胺的光电导性能.结果表明苝四酸二亚酰胺具有很高的电荷放大增益,在正偏压17 V时,增益高达103倍.分析实验所测的光电流与电压的关系,发现此关系能很好地符合场效应发射公式,这表明苝四酸二亚酰胺的电荷放大增益主要是由隧道击穿效应所引起的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭康	电子科技大学微电子与固体电子学院	1	4	1.0	1.0
2	夏都灵	电子科技大学微电子与固体电子学院	13	93	5.0	9.0
3	黄子强	电子科技大学光电信息学院	75	532	13.0	19.0