聚碳硅烷的高温高压合成与减压蒸馏

• 作者: 宋永才 程祥珍 肖加余 谢征芳
• 来源期刊: 国防科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 聚碳硅烷 合成 减压蒸馏 分子量及其分布
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 航天工程·材料工程
• 页码范围: 39-43
• 页数: 5页
• 分类号: TQ343
• 字数: 2538字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2486.2006.02.009

摘要

采用高温高压法合成了聚碳硅烷(PCS),通过改变合成条件与减压蒸馏温度的方法对PCS分子量及其分布进行调控.研究表明,改变PCS的反应温度、反应时间,可以基本控制PCS的分子量及其分布范围.随着反应温度的提高,反应时间的延长,PCS的分子量逐渐增大,分子量分布变宽.当合成温度高于450℃,反应时间大于6h时,或温度高于460℃,反应时间大于4h时,PCS中出现高分子量部分.随着反应条件的强化,高分子量部分逐渐增加,甚至出现超高分子量部分.提高减压蒸馏温度,可以有效降低PCS的低分子含量,提高分子量,降低分散系数.减压蒸馏温度每提高50℃,PCS的低分子含量约降低8%,重均分子量约提高1000,分散系数平均降低约0.3.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢征芳	国防科技大学航天与材料工程学院	40	404	12.0	18.0
2	宋永才	国防科技大学航天与材料工程学院	86	796	14.0	22.0
3	肖加余	国防科技大学航天与材料工程学院	170	1846	21.0	32.0
4	程祥珍	国防科技大学航天与材料工程学院	14	83	6.0	8.0