喷雾热解法制备p型铟锡氧化物透明导电薄膜

• 作者: 何作鹏 周强 季振国 赵丽娜 陈琛
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 铟锡氧化物 透明导电薄膜 p型导电 喷雾热解
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 211-216
• 页数: 6页
• 分类号: O472|O474|O482|O484
• 字数: 2409字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2006.01.035

摘要

利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜.主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸收特性等的影响.结果表明,当In/Sn比较小时,薄膜为金红石结构的二氧化锡,导电类型为n型;当In/Sn比在0.06～0.25范围内且热处理温度T≥600℃时,薄膜仍为金红石结构,但导电类型转为p型的;当In/Sn比超过0.3时,薄膜中有立方相的In2Sn2O7-x生成,由于氧空位的存在,薄膜又转变为n型.因此要获得p型导电的铟锡氧化物薄膜,In/Sn比不宜过低,也不能过高.热处理温度对薄膜的导电类型也有影响,对于In/Sn=0.2的薄膜,温度低于550℃时薄膜为n型导电,但当热处理温度高于550℃时,由于In3+取代Sn4+,因此薄膜为p型导电.当热处理温度高于700℃时,薄膜中空穴浓度达到饱和数值为4×1018cm-3,与此同时,透射率在可见光范围内仍高达80%以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	季振国	浙江大学国家硅材料重点实验室	48	467	12.0	19.0
2	陈琛	浙江大学国家硅材料重点实验室	16	126	7.0	11.0
3	周强	浙江大学国家硅材料重点实验室	60	351	12.0	15.0
4	赵丽娜	浙江大学国家硅材料重点实验室	14	82	7.0	9.0
5	何作鹏	浙江大学国家硅材料重点实验室	4	39	3.0	4.0