自组织量子点的形成过程

• 作者: 于理科 刘宁 徐波 王占国 胡良均 赵昶 金鹏 雷文
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子点 AFM PL谱
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 80-83
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 3246字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.019

摘要

利用分子束外延技术(MBE)生长了一个分布很不均匀的InGaAs量子点样品.样品不同位置InGaAs的沉积量不同导致点的大小、密度分布不均匀.这种分布恰恰对应着量子点形成的不同时期,因此仅通过一个样品就可以把量子点的生长演变全过程展示出来.AFM和PL测试表明:随着InGaAs沉积量的增加,量子点的密度显著增加,量子点的尺寸分布渐趋均匀并倾向于一平衡值.