低压低功耗模拟集成电路设计技术及展望

• 作者: 邹志革 邹雪城 黄峰
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 低压低功耗 模拟集成电路 轨对轨 亚阈值工作区 SOI
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 60-65,69
• 页数: 7页
• 分类号: TN431.1
• 字数: 6811字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2006.01.018

摘要

低压、低功耗模拟集成电路设计受到多种因素的制约.围绕这些制约因素,回顾了国内外在模拟集成电路低压、低功耗设计领域的方法和技术的发展现状,主要涉及:轨对轨设计技术、亚阈值工作区技术、阈值电压降低技术、组合晶体管技术、横向BJT技术、SOI技术等.分析并比较了各种设计方法的优劣;并对模拟电路低压低功耗设计技术的发展趋势进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹雪城	华中科技大学电子科学与技术系	310	2261	21.0	31.0
2	邹志革	华中科技大学电子科学与技术系	23	164	6.0	12.0
3	黄峰	华中科技大学电子科学与技术系	7	57	3.0	7.0