线形拟合在X射线衍射研究GaN薄膜材料结构时的必要性

• 作者: 张国义 张酣 徐科 杨学林 杨志坚 潘尧波 苏月永 陈志涛
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 高分辨XRD 摇摆曲线 穿透位错
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1378-1381
• 页数: 4页
• 分类号: O72
• 字数: 2095字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.08.008

摘要

利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析了长时间退火前后的GaN样品.通过对各个样品的(0002)面摇摆曲线进行线形拟合及分析,发现虽然退火后摇摆曲线的半峰宽变大,但面外倾斜角(tilt)的值却变小,从而螺型穿透位错(TD)密度变小,这与化学腐蚀实验的结果一致.我们的结果表明,线形拟合在利用XRD研究GaN薄膜材料结构的过程中是十分必要的,而不能用摇摆曲线的展宽直接表征TD密度.