6H-SiC单晶生长温度场优化及多型控制

• 作者: 姜守振 徐现刚 李娟 李现祥 王丽 王继扬 胡小波 董捷 蒋民华 陈秀芳
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 温度场 6H-SiC单晶 径向温度梯度 多型
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 41-44
• 页数: 4页
• 分类号: O782
• 字数: 1597字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.009

摘要

本文模拟了升华法生长6H-SiC单晶的不同温度场,并进行了相应的生长实验.结果表明:改变石墨坩埚和感应线圈的相对位置,可以改变温度场形状;下移石墨坩埚;可以增大温度场径向温度梯度.在不同的径向温度梯度下,6H-SiC晶体分别以凹界面、平界面和凸界面生长.晶体生长界面的形状和速率影响晶体多型的产生,在平界面,生长速率小于300μm/h的晶体生长条件下,可获得无多型的高质量6H-SiC单晶.