Si-Si直接键合的杂质分布

• 作者: 陈新安 黄庆安
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si-Si直接键合 抽取效应 本征SiO2
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2051-2055
• 页数: 5页
• 分类号: TN286
• 字数: 2205字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.11.032

摘要

在Si-Si直接键合过程中,界面处存在一层很薄的厚度恒定的本征SiO2.Si对SiO2中的杂质的抽取效应,导致了杂质在界面处的浓度大大降低,根据改进了的杂质在Si-Si直接键合片中分布模型,推导出了杂质分布的表达式,在理论上和实验上都对该式进行了验证.杂质通过SiO2再向Si中扩散的杂质总量与Si-Si扩散相比大大减少,使所形成的p-n+结的结深减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈新安		3	10	1.0	3.0