CMOS工艺片上传输线研究

• 作者: 李智群 王志功 陈勖
• 来源期刊: 东南大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS工艺 微带线 共面波导 分布参数模型
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 页码范围: 892-896
• 页数: 5页
• 分类号: TB971|TB973
• 字数: 3004字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-0505.2006.06.004

摘要

对深亚微米硅基CMOS工艺集成电路中常用的微带线和共面波导2种传输线结构进行了研究.从理论上分析了传输线分布参数和损耗,利用0.13 μm CMOS工艺制作了特征阻抗分别为50和70Ω的微带线和共面波导元件库,在0.1～30GHz频率范围内利用网络分析仪和SOLT测试技术进行测试.利用分布参数电路模型和测试得到的S参数提取出了特征阻抗、衰减常数、品质因数等传输线基本参数.研究结果为设计者选择和设计高性能传输线提供出可借鉴的实用性模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志功	东南大学射频与光电集成电路研究所	342	2153	20.0	29.0
2	李智群	东南大学射频与光电集成电路研究所	76	576	10.0	20.0
3	陈勖	东南大学射频与光电集成电路研究所	4	22	3.0	4.0