热处理对直流磁控溅射ITO薄膜光电学性质的影响

• 作者: 林丽梅 林永钟 盖荣权 瞿燕 赖发春 陈超英
• 来源期刊: 福建师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 掺锡氧化铟薄膜 退火 电学性质 光学性质
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 42-46
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 4443字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5277.2006.03.009

摘要

利用直流磁控溅射在石英衬底上沉积透明导电的掺锡氧化铟(ITO)薄膜,在相同条件下制备了两种不同溅射时间(30、10 min)的样品,样品在400 ℃的大气中进行1 h退火处理.利用分光光度计测量薄膜的正入射透射光谱,并拟合透射光谱得到薄膜的折射率、消光系数及厚度;用Van der Pauw方法测量薄膜电学性质,包括载流子浓度、载流子迁移率和电阻率.实验结果显示退火处理对ITO薄膜的光学、电学性质有重要影响,退火样品在可见光区域的透过率明显提高,且光学吸收边向长波方向移动;然而,退火前薄膜的电学性能更好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林永钟	福建师范大学物理与光电信息科技学院	13	97	4.0	9.0
2	林丽梅	福建师范大学物理与光电信息科技学院	28	139	8.0	11.0
3	瞿燕	福建师范大学物理与光电信息科技学院	19	108	6.0	10.0
4	赖发春	福建师范大学物理与光电信息科技学院	37	216	8.0	13.0
5	陈超英	福建师范大学物理与光电信息科技学院	8	38	3.0	6.0
6	盖荣权	福建师范大学物理与光电信息科技学院	11	70	5.0	8.0