NH3与H2之比对碳纳米尖端阵列形成的影响

• 作者: 党纯 王廷志 王必本
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 化学
• 关键词: 碳纳米尖端阵列 溅射刻蚀 化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 薄膜技术
• 页码范围: 29-33
• 页数: 5页
• 分类号: O631.71
• 字数: 2540字
• 语种: 中文

摘要

以CH4,NH3和H2为反应气体,利用等离子体增强热丝化学气相沉积系统在沉积有碳膜的Si上制备了碳纳米尖端阵列.利用原子力显微镜和扫描电子显微镜分别对碳膜和碳纳米尖端进行了研究,发现碳膜的表面粗糙不平,有许多凸起,在NH3与H2的比例为1/7和1/1时,可形成碳纳米尖端阵列,利用有关等离子体刻蚀理论对碳纳米尖端阵列的形成进行了分析,结果表明,只有在这两个比例下,离子对碳膜内凸起两侧有相同的溅射刻蚀速率,因此可形成碳纳米尖端阵列.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王必本	北京工业大学应用数理学院	28	76	5.0	6.0
2	王廷志	江南大学理学院	22	28	2.0	4.0
3	党纯	淮阴工学院计算科学系	12	10	1.0	2.0