InP/InGaAs PIN红外探测器增透膜的研究

• 作者: 冯士维 孙静莹 张跃宗 李瑛 杨集 王承栋
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 探测器 增透膜 淀积
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 支撑技术
• 页码范围: 594-597
• 页数: 4页
• 分类号: TN36
• 字数: 2645字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.08.010

摘要

简单介绍了单层增透膜的基本工作原理,并理论计算了增透膜为SiO2和Si3N4时InP/InGaAs PIN探测器的透射率.计算结果表明Si3N4的增透效果要优于SiO2,通过测试淀积有Si3N4增透膜的探测器的响应度,并和理论计算的透射率进行比较,研究了不同的淀积工艺对响应度的影响和探测器在不同应用时膜厚的设计方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张跃宗	北京工业大学电子信息与控制工程学院	10	105	6.0	10.0
2	冯士维	北京工业大学电子信息与控制工程学院	59	438	12.0	18.0
3	王承栋	北京工业大学电子信息与控制工程学院	7	31	3.0	5.0
4	杨集	北京工业大学电子信息与控制工程学院	9	152	7.0	9.0
5	李瑛	北京工业大学电子信息与控制工程学院	7	141	6.0	7.0
6	孙静莹	北京工业大学电子信息与控制工程学院	4	86	4.0	4.0