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摘要:
CuInSe2 (CIS)/Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)半导体材料具有出色的光伏性能、丰富的缺陷物理内涵以及制备上的挑战,20多年来一直受到太阳能电池界和材料物理界的极大关注.介绍了CIS/CIGS基黄铜矿系光伏材料的微结构、缺陷物理模型.阐明了缺陷类型与材料电学性能的关系:Cu空位VCu是p型材料中的主要受主,Se空位VSe是n型材料中的主要施主;以及Na元素的作用:优化膜的形貌、提高膜的导电率、还能减小缺陷的浓度.综述了两种常用制备方法(蒸镀法、溅射法)的研究进展.
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文献信息
篇名 CIS/CIGS基黄铜矿系光伏材料研究进展
来源期刊 稀有金属 学科 工学
关键词 光伏材料 CIS/CIGS 缺陷 蒸镀法 溅射法
年,卷(期) 2006,(4) 所属期刊栏目 综合评述
研究方向 页码范围 528-533
页数 6页 分类号 TM914.4
字数 4521字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.0258-7076.2006.04.022
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 解晶莹 中国科学院上海微系统与信息技术研究所能源科学与技术室 43 1055 19.0 32.0
2 张晓科 中国科学院上海微系统与信息技术研究所能源科学与技术室 14 196 8.0 14.0
6 王可 中国科学院上海微系统与信息技术研究所能源科学与技术室 23 298 11.0 17.0
7 关勇辉 中国科学院上海微系统与信息技术研究所能源科学与技术室 1 15 1.0 1.0
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CIS/CIGS
缺陷
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1977
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