CIS/CIGS基黄铜矿系光伏材料研究进展

• 作者: 关勇辉 张晓科 王可 解晶莹
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 光伏材料 CIS/CIGS 缺陷 蒸镀法 溅射法
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 528-533
• 页数: 6页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 4521字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2006.04.022

摘要

CuInSe2 (CIS)/Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)半导体材料具有出色的光伏性能、丰富的缺陷物理内涵以及制备上的挑战,20多年来一直受到太阳能电池界和材料物理界的极大关注.介绍了CIS/CIGS基黄铜矿系光伏材料的微结构、缺陷物理模型.阐明了缺陷类型与材料电学性能的关系:Cu空位VCu是p型材料中的主要受主,Se空位VSe是n型材料中的主要施主;以及Na元素的作用:优化膜的形貌、提高膜的导电率、还能减小缺陷的浓度.综述了两种常用制备方法(蒸镀法、溅射法)的研究进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	解晶莹	中国科学院上海微系统与信息技术研究所能源科学与技术室	43	1055	19.0	32.0
2	张晓科	中国科学院上海微系统与信息技术研究所能源科学与技术室	14	196	8.0	14.0
6	王可	中国科学院上海微系统与信息技术研究所能源科学与技术室	23	298	11.0	17.0
7	关勇辉	中国科学院上海微系统与信息技术研究所能源科学与技术室	1	15	1.0	1.0