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CIS/CIGS基黄铜矿系光伏材料研究进展
CIS/CIGS基黄铜矿系光伏材料研究进展
作者:
关勇辉
张晓科
王可
解晶莹
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
光伏材料
CIS/CIGS
缺陷
蒸镀法
溅射法
摘要:
CuInSe2 (CIS)/Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)半导体材料具有出色的光伏性能、丰富的缺陷物理内涵以及制备上的挑战,20多年来一直受到太阳能电池界和材料物理界的极大关注.介绍了CIS/CIGS基黄铜矿系光伏材料的微结构、缺陷物理模型.阐明了缺陷类型与材料电学性能的关系:Cu空位VCu是p型材料中的主要受主,Se空位VSe是n型材料中的主要施主;以及Na元素的作用:优化膜的形貌、提高膜的导电率、还能减小缺陷的浓度.综述了两种常用制备方法(蒸镀法、溅射法)的研究进展.
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文献信息
篇名
CIS/CIGS基黄铜矿系光伏材料研究进展
来源期刊
稀有金属
学科
工学
关键词
光伏材料
CIS/CIGS
缺陷
蒸镀法
溅射法
年,卷(期)
2006,(4)
所属期刊栏目
综合评述
研究方向
页码范围
528-533
页数
6页
分类号
TM914.4
字数
4521字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.0258-7076.2006.04.022
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
解晶莹
中国科学院上海微系统与信息技术研究所能源科学与技术室
43
1055
19.0
32.0
2
张晓科
中国科学院上海微系统与信息技术研究所能源科学与技术室
14
196
8.0
14.0
6
王可
中国科学院上海微系统与信息技术研究所能源科学与技术室
23
298
11.0
17.0
7
关勇辉
中国科学院上海微系统与信息技术研究所能源科学与技术室
1
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传播情况
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研究来源
研究分支
研究去脉
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期刊影响力
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主办单位:
北京有色金属研究总院
出版周期:
月刊
ISSN:
0258-7076
CN:
11-2111/TF
开本:
大16开
出版地:
北京新街口外大街2号
邮发代号:
82-167
创刊时间:
1977
语种:
chi
出版文献量(篇)
4172
总下载数(次)
13
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