高温氨化合成GaN微晶

• 作者: 何建廷 刘亦安 吴玉新 孙莉莉 庄惠照 王福学 田德恒 艾玉杰 薛成山
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氨化 Ga源温度 合成 GaN晶粒
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 微机械加工技术
• 页码范围: 37-40,44
• 页数: 5页
• 分类号: TN104.3
• 字数: 3570字
• 语种: 中文

摘要

分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较.结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN.