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基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的60GHz VCO分析与设计
锗硅
压控振荡器
传输线
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石墨烯晶体管研究进展
石墨烯晶体管
禁带
截止频率
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多晶硅发射极技术
分子束外延SiGe基区
锗硅异质结双极晶体管
航空发动机晶体管式点火系统火花频率稳定性研究
晶体管式点火系统
火花频率
电压补偿
温度补偿
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 SiGe晶体管工作频率达500GHz
来源期刊 今日电子 学科 工学
关键词
年,卷(期) 2006,(9) 所属期刊栏目 技术前沿
研究方向 页码范围 33
页数 1页 分类号 TN3
字数 667字 语种 中文
DOI
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2006(0)
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今日电子
月刊
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11-3227/TM
大16开
北京海淀区中关村南大街乙12号天作国际中心1号楼A座1506-1508
82-518
1993
chi
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