应力条件下AlGaN/GaNHEMT电流崩塌效应研究

• 作者: 夏建新 杜江锋 杨谟华 罗谦 龙飞
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电流崩塌效应 应力 高电子迁移率晶体管 表面态
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(半导体先进的加工设备与材料)
• 页码范围: 173-175,179
• 页数: 4页
• 分类号: TN325
• 字数: 2038字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.03.004

摘要

采用应力测试方法,获得了AlGaN/GaN HEMT漏极电流随时间的变化关系.实验结果表明,应力导致漏极电流崩塌56.2%;不同电压应力条件下,只要所加时间足够长和电压足够大,相同栅压的电流崩塌程度都近似相等;漏极电流恢复时间与大小分别为34.5+αVGS与α(VGS-VT)(2-βt).研究表明,栅-漏间表面态捕获的电子使得表面电势发生变化,引起沟道中二维电子气浓度降低,从而导致电流崩塌效应的产生.此结论可望用于AlGaN/GaN HEMT器件电流崩塌效应进一步的理论探索和器件研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨谟华	电子科技大学微电子与固体电子学院	58	278	8.0	11.0
2	杜江锋	电子科技大学微电子与固体电子学院	18	52	5.0	6.0
3	罗谦	电子科技大学微电子与固体电子学院	19	63	5.0	6.0
4	夏建新	电子科技大学微电子与固体电子学院	12	30	4.0	5.0
5	龙飞	电子科技大学微电子与固体电子学院	4	11	2.0	3.0