提高SOI器件和电路性能的研究

• 作者: 周小茵 李多力 毕津顺 海潮和 赵立新 韩郑生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 浮体效应 沟道 抗辐照
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 322-327
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 5085字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.079

摘要

在分析SOI器件的浮体效应、击穿特性、背栅阈值、边缘漏电、ESD及抗辐照特性的基础上,提出了提高SOI器件和电路性能的技术途径.体接触是防止浮体效应的最好方法;正沟道和背沟道的BF2/B离子注入可以分别满足阈值和防止背栅开启的需要;SOI器件栅电极的选取严重影响器件的性能;源区的浅结有助于减小寄生npn双极晶体管的电流增益;而自对准硅化物技术为SOI器件优良特性的展现发挥了重要作用.研究发现,采用综合加固技术的nMOS器件,抗总剂量的水平可达1×106rad(Si).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
3	李多力	中国科学院微电子研究所	16	52	4.0	6.0
4	毕津顺	中国科学院微电子研究所	37	78	5.0	6.0
5	赵立新	中国科学院微电子研究所	38	346	12.0	17.0
6	周小茵	中国科学院微电子研究所	5	45	4.0	5.0