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摘要:
研究了Ta2O5和Nb2O5掺杂对TiO2系压敏陶瓷电性能的影响.采用电子陶瓷制备工艺,制备了两组TiO2系压敏陶瓷,借助热电子发射理论,分析了样品的I-V特性及介电频谱特性.结果发现,Ta2O5掺杂的样品具有最低的压敏电压(E10mA=5.03 V·mm-1)和最大的视在介电常数(εra=1.5×105).
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关键词云
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文献信息
篇名 TiO2系压敏陶瓷施主掺杂研究
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 电子技术 TiO2压敏陶瓷 压敏电压 非线性系数 视在介电常数
年,卷(期) 2006,(2) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 28-30
页数 3页 分类号 TN304|TN379
字数 3245字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2006.02.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周方桥 广州大学物理与电子工程学院 19 138 6.0 11.0
2 朱道云 中山大学物理科学与工程技术学院 4 13 3.0 3.0
3 庄严 中国电子科技集团公司第七研究所 4 45 3.0 4.0
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电子技术
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电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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