半导体量子点Rabi振荡品质因子及其退相干机制

• 作者: 刘绍鼎 周慧君 王取泉 程木田 肖思
• 来源期刊: 科技导报
• 学科: 物理学
• 关键词: Rabi振荡 半导体量子点 量子比特 量子计算
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 本刊专稿
• 页码范围: 11-14
• 页数: 4页
• 分类号: O431.2|O471.1
• 字数: 3137字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7857.2006.01.003

摘要

采用光致发光方法和纳米光谱成像技术,研究了单个半导体量子点中激发态激子的Rabi振荡.观测了在两个延时位相可控的π/2脉冲激发下,激发态激子数随其量子比特位相旋转而振荡的特性.由实验观测结果分析得知此单个半导体量子点量子比特的自由旋转品质因子约为9.8×104,动力旋转品质因子约为18.讨论了激子从浸润层到量子点的俘获过程对Rabi振荡衰减退相干的影响.简要分析了量子点的激子自旋操控和单光子发射统计特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王取泉	武汉大学物理系	19	88	6.0	8.0
2	刘绍鼎	武汉大学物理系	8	12	2.0	2.0
3	周慧君	武汉大学物理系	6	16	2.0	4.0
4	程木田	武汉大学物理系	6	11	2.0	2.0
5	肖思	武汉大学物理系	2	8	2.0	2.0