工艺参量对Ni80Fe20薄膜结构与磁电阻特性的影响

• 作者: 吴平 李希 潘礼庆 王凤平 田跃 邱宏 高艳清
• 来源期刊: 物理实验
• 学科: 物理学
• 关键词: Ni80Fe20薄膜 电子束蒸发 磁电阻 薄膜结构
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 实验教学
• 页码范围: 8-11
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2199字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-4642.2006.06.002

摘要

NiFe薄膜在室温下具有较高的各向异性磁电阻率,可广泛应用于磁记录和磁传感器.本文研究了工艺条件对电子束蒸发方法制备的Ni80Fe20薄膜磁电阻特性及微结构的影响,获得了制备各向异性磁电阻率达3%～4%的Ni80Fe20薄膜的工艺条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴平	北京科技大学应用科学学院	93	481	11.0	17.0
2	潘礼庆	北京科技大学应用科学学院	30	180	8.0	12.0
3	邱宏	北京科技大学应用科学学院	37	225	9.0	13.0
4	田跃	北京科技大学应用科学学院	32	174	9.0	12.0
5	王凤平	北京科技大学应用科学学院	31	474	11.0	21.0
6	李希	北京科技大学应用科学学院	1	11	1.0	1.0
7	高艳清	北京科技大学应用科学学院	1	11	1.0	1.0