基于亲水表面处理的GaAs/GaN晶片直接键合

• 作者: 刘诗文 梁庭 沈光地 王慧 郭霞 高国
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 晶片直接键合 GaAs GaN 光电子集成
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1042-1045
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.96
• 字数: 2386字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.06.018

摘要

对晶片进行亲水表面处理,在氮气保护下500℃热处理10min,成功实现GaAs与GaN晶片的直接键合,键合质量较好.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.光致发光谱观测结果表明,键合工艺对晶体内部结构的影响很小.可见光透射谱测试结果表明,键合界面具有良好的透光特性.GaAs与GaN晶片直接键合的成功,为实现GaAs和GaN材料的集成提供了实验依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈光地	北京工业大学电控学院北京市光电子技术实验室	192	1444	18.0	29.0
2	郭霞	北京工业大学电控学院北京市光电子技术实验室	54	397	11.0	16.0
3	高国	北京工业大学电控学院北京市光电子技术实验室	22	459	8.0	21.0
4	刘诗文	北京工业大学电控学院北京市光电子技术实验室	4	32	3.0	4.0
5	梁庭	北京工业大学电控学院北京市光电子技术实验室	10	80	5.0	8.0
6	王慧	北京工业大学电控学院北京市光电子技术实验室	8	34	3.0	5.0