一种基于衬底偏置的超低压CMOS运算放大器

• 作者: 张宝君 张海军 朱樟明 杨银堂
• 来源期刊: 电路与系统学报
• 学科: 工学
• 关键词: 衬底偏置 超低压 运算放大器 CMOS
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 12-15
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 2970字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-0249.2006.01.003

摘要

本文研究了基于衬底偏置MOSFET的阈值电压可调节特性及其低压特性,通过对所有MOSFET衬底偏置设计实现了超低压两级运算放大器.在0.8V的电源电压下,该运放的直流开环增益为89dB,相位裕度为67(,失调电压约为737.5μV,其单位增益带宽(GB)为440kHz,输入共模范围为65.3～734.1mV,输出电压范围为53.3～737.3mV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张宝君		4	19	2.0	4.0
2	杨银堂		32	202	6.0	13.0
3	朱樟明		9	95	4.0	9.0
4	张海军		4	19	2.0	4.0