0.8μm SOI CMOS技术及电路研制

• 作者: 孙锋 洪根深 肖志强 薛忠杰 陶建中 黄嵩人
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: SOI CMOS SIMOX 总剂量效应
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2412字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2006.08.001

摘要

SOI CMOS技术在一些特殊应用领域中有着体硅无法比拟的优势.文中叙述采用SIMOX材料和0.8μm SOI CMOS工艺加固技术成功研制出抗辐射性能较好的器件和电路,并且给出了SOI CMOS器件的特性随辐照总剂量的变化关系,试验电路通过了总剂量500 Krad(Si)钴60γ射线辐照实验.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪根深		33	74	5.0	6.0
2	薛忠杰		13	104	6.0	10.0
3	陶建中		18	42	4.0	6.0
4	孙锋		10	42	4.0	6.0
5	黄嵩人		14	55	3.0	7.0
6	肖志强		10	60	5.0	7.0