合成绝缘子悬挂方式对雷电冲击特性影响

• 作者: 严萍 任晋旗 刘亚新 周远翔 孙鹞鸿 崔吉峰 李震宇
• 来源期刊: 高电压技术
• 学科: 工学
• 关键词: 合成绝缘子 雷电闪络 电场分布 悬挂方式
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 专题论述
• 页码范围: 29-31
• 页数: 3页
• 分类号: TM216+.3
• 字数: 2168字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-6520.2006.01.011

摘要

试验研究了合成绝缘子并联和V型悬挂方式对耐雷电冲击特性的影响并运用有限元软件计算了绝缘子串周围电场分布,结果表明并联绝缘子串间击穿电压较单串时低,而型串的影响很小.认为绝缘子串悬挂方式对绝缘子串之间电场分布变化的影响是造成击穿电压变化的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严萍	中国科学院电工研究所	191	2402	27.0	36.0
2	任晋旗	中国科学院电工研究所	16	194	9.0	13.0
6	刘亚新		14	179	8.0	13.0
7	周远翔	清华大学电机工程与应用电子技术系	77	1891	26.0	41.0
8	孙鹞鸿	中国科学院电工研究所	43	511	12.0	21.0
9	李震宇	清华大学电机工程与应用电子技术系	7	253	6.0	7.0
10	崔吉峰		5	75	4.0	5.0