双极器件和电路的不同剂量率的辐射效应研究

• 作者: 任迪远 余学锋 艾尔肯 郭旗 陆妩
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 双极晶体管 双极运算放大器 60Coγ辐照 剂量率效应
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 器件物理与器件模拟
• 页码范围: 471-476
• 页数: 6页
• 分类号: TN3
• 字数: 5354字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2006.04.010

摘要

对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管和运算放大器的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究.结果表明:在辐照的剂量率范围内,无论是国产还是进口的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且NPN管比PNP管明显.双极运算放大器的研究结果显示:不同电路间的辐照响应差异很大,对有些电路而言,剂量率越低,损伤越大.有些电路虽有不同剂量率的辐照损伤差异,但这种差异可通过室温退火得到消除,因而只是时间相关的效应.文中对引起双极器件辐照损伤差异的机理进行了探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭旗	中科院新疆理化技术研究所	5	39	3.0	5.0
2	任迪远	中科院新疆理化技术研究所	5	39	3.0	5.0
3	艾尔肯	中科院新疆理化技术研究所	3	33	2.0	3.0
4	陆妩	中科院新疆理化技术研究所	4	35	2.0	4.0
5	余学锋	中科院新疆理化技术研究所	2	29	2.0	2.0