双靶磁控溅射聚焦共沉积AlN薄膜生长速率研究

• 作者: 刘新胜 周灵平 李德意 李绍禄 肖汉宁 门海泉
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlN薄膜 共沉积 生长速率 磁控溅射 择优取向
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 1141-1145,1150
• 页数: 6页
• 分类号: TB43|TB321
• 字数: 2876字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.048

摘要

采用直流双靶磁控溅射聚焦共沉积技术在Fe衬底上高速率生长AlN薄膜,结果表明,双靶共沉积技术有效地提高了AlN薄膜生长速率,相同工作气压或低N2浓度时双靶磁控溅射沉积速率约为单靶沉积速率的2倍;随着溅射系统内工作气压或N2浓度的升高,薄膜生长速率不断减小;薄膜择优取向与薄膜生长速率相互影响,随着工作气压的升高,(100)晶面的择优生长减缓了薄膜生长速率的降低,随着N2浓度的升高,(002)晶面的择优生长加剧了薄膜生长速率的降低,而相对较低的溅射沉积速率有利于(002)晶面择优取向生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖汉宁	湖南大学材料科学与工程学院	169	1990	24.0	35.0
2	周灵平	湖南大学材料科学与工程学院	48	322	11.0	16.0
3	李绍禄	湖南大学材料科学与工程学院	26	292	10.0	16.0
4	李德意	湖南大学材料科学与工程学院	44	411	11.0	19.0
5	门海泉	湖南大学材料科学与工程学院	3	66	3.0	3.0
6	刘新胜	湖南大学材料科学与工程学院	3	23	2.0	3.0