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摘要:
介绍采用TSMC公司的0.18 μm CMOS工艺应用于5 GHz WLAN(无线局域网)发射集中的功率放大器的设计方法,并给出了仿真结果.电路采用A类三级放大结构,在3.3 V工作电压下,增益为23.7dB,1dB压缩点输出功率21.8 dBm,最大功率附加效率15%,可望用于WLAN 802.11a标准的系统中.
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文献信息
篇名 0.18μm CMOS工艺5 GHz WLAN功率放大器设计
来源期刊 电子工程师 学科 工学
关键词 功率放大器 无线局域网 CMOS 射频集成电路
年,卷(期) 2006,(3) 所属期刊栏目 微电子与基础产品
研究方向 页码范围 1-3,24
页数 4页 分类号 TN47|TN722.7
字数 1308字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1674-4888.2006.03.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王志功 东南大学射频与光电集成电路研究所 342 2153 20.0 29.0
2 杨柯 东南大学射频与光电集成电路研究所 2 13 1.0 2.0
3 李志群 东南大学射频与光电集成电路研究所 1 12 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
功率放大器
无线局域网
CMOS
射频集成电路
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
信息化研究
双月刊
1674-4888
32-1797/TP
大16开
江苏省南京市
28-251
1975
chi
出版文献量(篇)
4494
总下载数(次)
11
总被引数(次)
24149
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