ZnS中电子陷阱能级对光生电子弛豫过程的影响

• 作者: 林琳 田少华 窦军红 葛世艳 董国义 郑一博 韦志仁
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnS 微波吸收技术 热释光 光电子
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 31-35
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3|O482.31
• 字数: 1971字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2006.01.006

摘要

采用微波吸收法,测量了在不同助熔剂条件及不同气氛下烧制的ZnS材料受到超短激光脉冲激发后的光电子衰减过程,并且测量了材料的热释光曲线.样品A采用过量的SrCl作为助熔剂,在1 150 ℃下灼烧制备而成;其热释光曲线显示材料中有浅电子陷阱,电子陷阱密度小,光生电子衰减过程为双指数衰减过程,快过程寿命为45 ns,慢过程寿命为312 ns.样品B中加入了少量的NaCl作为助熔剂;热释光曲线显示有浅电子陷阱和深电子陷阱,且都有较高的密度,其光电子寿命为1 615 ns.在NH4Br气氛中烧制样品C,热释光谱显示只有浅电子陷阱形成,光电子寿命为1 413 ns.结果表明材料的光电子寿命和浅电子陷阱密切相关,浅电子陷阱密度越大,光生电子寿命越长,深电子陷阱对光生电子瞬态过程影响很小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韦志仁	河北大学物理科学与技术学院	66	570	13.0	20.0
2	田少华	河北大学物理科学与技术学院	8	66	3.0	8.0
3	葛世艳	河北大学物理科学与技术学院	16	92	6.0	9.0
4	窦军红	河北大学物理科学与技术学院	19	119	6.0	10.0
5	董国义	河北大学物理科学与技术学院	58	363	11.0	16.0
6	林琳	河北大学物理科学与技术学院	22	91	6.0	9.0
7	郑一博	河北大学物理科学与技术学院	10	56	4.0	7.0