高质透明ZnO/ 金刚石异质结的制备

• 作者: 杨洁 王成新 田红志
• 来源期刊: 吉林大学学报（理学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO 金刚石 p-n结 组装
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 物理
• 页码范围: 460-464
• 页数: 5页
• 分类号: O475
• 字数: 2453字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-5489.2006.03.031

摘要

介绍一种高质透明异质结的表征与制备方法. 该异质结首先在金刚石单晶表面制备出p型金刚石单晶薄膜, 然后在其上制备高取向ZnO薄膜, 构成n型区. 系统测试结果表明, 当p-n结正向偏压达到2.5 V时, 电流密度为109 A/m2, 启动电压为0.72 V, 与期待值一致. 良好的整流特性以及在可见光范围内的透明特性在该元件中得以实现.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨洁	空军航空大学基础部	22	16	2.0	2.0
2	王成新	中山大学物理科学与工程学院	1	2	1.0	1.0