Si/SiGe量子级联激光器研究进展

• 作者: 余金中 林桂江 韩根全
• 来源期刊: 物理
• 学科: 物理学
• 关键词: Si/SiGe量子级联激光器 超晶格 太赫兹 子带跃迁
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 前沿进展
• 页码范围: 673-678
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4635字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0379-4148.2006.08.010

摘要

Si/SiGe量子级联激光器是一种新型的带内跃迁的红外光源,突破了Si基材料间接带隙特性对光跃迁的限制.Si/SiGe量子级联激光器的开发将为实现太赫兹有源器件的硅基集成产生深远影响.文章介绍了Si/SiGe量子级联激光器的工作原理,以及这类激光器在能带设计、材料生长和波导制作方面的最新进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩根全	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室	5	6	2.0	2.0