调制结构对TiN/TaN多层膜的生长行为及力学性能的影响

• 作者: 张庆瑜 徐晓明 王娟 赵阳
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 物理学
• 关键词: TiN/TaN多层膜 生长行为 结构特征 力学特性
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 389-393
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 4943字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2006.04.010

摘要

利用反应磁控溅射方法,制备了调制周期相同而调制比不同的TiN/TaN多层膜.利用XRD,HRTEM和纳米压痕仪分别对多层膜的结构、微观状态和力学性能进行了系统研究.结果表明:调制结构不仅改变多层膜的生长速率,而且能导致多层膜择优生长取向的变化;界面应力的存在使得薄膜生长速率随沉积层厚度的增加而下降;在TiN/TaN多层膜中存在着各自独立外延生长的[111]和[100]两种取向的调制结构,且具有不同的调制周期;调制周期为6 nm左右的TiN/TaN多层膜的硬度与弹性模量分别提高约50%与30%;在调制比为3:1时,硬度最大值为34.2 GPa,弹性模量为344.9 GPa;根据结构和力学性能的分析结果,讨论了TiN/TaN多层膜的硬化机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐晓明	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	5	48	5.0	5.0
2	王娟	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	13	81	6.0	8.0
3	赵阳	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	8	79	5.0	8.0
4	张庆瑜	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	92	897	16.0	25.0