ZnO纳米线的合成与生长机理

• 作者: 李燕 王锦春 程和 邓宏
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO纳米线 气-液-固生长机制 催化剂 生长机理
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 991-994
• 页数: 4页
• 分类号: O471.5
• 字数: 1793字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2006.06.030

摘要

采用化学气相沉积系统制备ZnO纳米线,以覆盖一层约5 nm厚的Ag薄膜的单晶Si(001)为衬底,纳米线的生长遵循气-液-固(VLS)机理.对得到的样品采用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)进行晶体结构和形貌的表征.XRD结果表明衬底温度在600～700 ℃时生长的ZnO纳米线具有六方结构和统一的取向.通过扫描电子显微镜分析,比较了生长温度对纳米线直径和长度的影响.实验表明我们可以通过催化剂和温度来实现ZnO纳米线生长的可控.与传统的VLS生长方式不同的是在我们制备的ZnO纳米线顶端并没有看到催化剂颗粒,表明纳米线的生长方式是底部生长,我们对其生长机理进行了研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓宏	电子科技大学微电子与固体电子学院	72	653	14.0	22.0
2	李燕	电子科技大学微电子与固体电子学院	29	259	9.0	15.0
3	程和	电子科技大学微电子与固体电子学院	2	14	2.0	2.0
4	王锦春	电子科技大学微电子与固体电子学院	1	9	1.0	1.0