SiO2钝化膜对i-GaN肖特基探测器性能的影响

• 作者: 亢勇 何政 方家熊 李雪
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: SiO2钝化膜 i-GaN 肖特基探测器
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 406-408
• 页数: 3页
• 分类号: TN23
• 字数: 1468字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2006.04.016

摘要

在采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的非故意掺杂的i-GaN材料上制备了平面结构肖特基探测器;利用磁控溅射在探测器的两个电极隔离区域生长SiO2钝化膜;并对这些器件的性能进行了表征.通过与没有SiO2钝化膜的肖特基探测器性能比较,结果表明:SiO2钝化膜能显著地降低器件的反向漏电流,同时并不影响器件的正向开启电压;在光波长范围为300～365 nm,探测器的响应率显著地提高.产生这些变化可能是SiO2钝化膜减少了肖特基探测器电极隔离区域表面缺陷的缘故.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方家熊	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	39	184	7.0	11.0
2	李雪	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	64	465	12.0	19.0
3	亢勇	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	8	45	5.0	6.0
7	何政	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	4	5	1.0	2.0