高压VDMOSFET中的快恢复体二极管的设计新方法

• 作者: 张俊松 张雯 石广源 闫冬梅
• 来源期刊: 辽宁大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 体二极管 恢复速度 肖特基接触 VDMOSFET
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 38-41
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2059字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2006.01.011

摘要

提出了一种提高高压垂直双扩散MOS场效应晶体管(VDMOSFET)的体二级管恢复速度的新方法.在这一方法中,肖特基接触集成于VDMOSFET中的每一单胞中.据此生产的样品的实验结果表明,对于500V/2A的VDMOSFET,反向恢复电荷减小了50%,体二极管的恢复因数增大了60%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石广源	辽宁大学物理系	39	119	6.0	8.0
2	张雯	辽宁大学法学院	13	71	5.0	8.0
3	张俊松	辽宁大学物理系	8	25	3.0	4.0
4	闫冬梅	辽宁大学信息学院	4	10	2.0	3.0