Al0.3Ga0.7N MSM紫外探测器研究

• 作者: 丁嘉欣 司俊杰 孙维国 张国义 成彩晶 赵岚 赵鸿燕 郭云芝 陈志忠 鲁正雄
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: MSM 暗电流 响应率 光谱响应 理想因子 势垒高度
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 470-473
• 页数: 4页
• 分类号: TN36
• 字数: 2318字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2006.08.009

摘要

用MOCVD生长的未掺杂的n-Al0.3Ga0.7N制备了MSM结构紫外探测器.器件在5.3 V偏压时暗电流为1 nA,在315nm波长处有陡峭的截止边,在1 V偏压下305 nm峰值波长处探测器的电流响应率为0.023 A/W,要进一步提高器件的响应率,方法之一是优化器件的结构参数,尽量减小叉指电极的宽度.为了检验Au/n-Al0.3Ga0.7N肖特基接触特性,电击穿MSM右边结,由正向I-V特性曲线计算出理想因子n～1.05,零偏势垒高度φB0～1.16eV,表明形成的Au/n-Al0.3Ga0.7N肖特基结较为理想.