非磁性金属隔离层Bi,Ag和Cu对多层膜性能的影响

• 作者: 于广华 曾德长 朱逢吾 李明华 赖武彦
• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 工学
• 关键词: NiFe/FeMn 非磁隔离层 交换耦合场 晶格匹配 表面偏聚
• 年，卷（期）: 2006,（17）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 1998-2002
• 页数: 5页
• 分类号: TG1
• 字数: 5261字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0023-074X.2006.17.004

摘要

采用磁控溅射方法制备了Ta/NiFe/Bi(Ag,Cu)/FeMn/Ta和Ta/NiFeⅠ/FeMn/Bi(Ag,Cu)/NiFeⅡ/Ta多层膜.通过X射线衍射研究了薄膜样品Ta/NiFe/Bi(Ag,Cu)/FeMn/Ta的织构.在NiFeⅠ/FeMn界面沉积大量的Cu也不会影响FeMn层的(111)织构.与此相反,在NiFeⅠ/FeMn界面沉积少量的Bi和Ag,FeMn层的织构就会受到破坏.研究发现,这与隔离层原子的晶体结构和晶格常数有关.在Ta/NiFeⅠ/ FeMn/Bi(Ag,Cu)/NiFeⅡ/Ta多层膜中,研究了反铁磁薄膜FeMn与铁磁薄膜NiFeⅠ和NiFeⅡ间的交换耦合场Hex1和Hex2相对于非磁金属隔离层Bi,Ag和Cu厚度的变化关系.实验结果表明,随着非磁金属隔离层厚度的增加,Hex1的大小基本不变,保持在10.35～11.15 kA/m之间.交换偏置场Hex2随着Bi,Ag和Cu厚度的增加急剧下降并趋于平滑.当Bi,Ag和Cu的厚度分别为0.6,1.2和0.6 nm时,交换偏置场Hex2下降为0.87,0.56和0.079 kA/m.此后,随着隔离层厚度的增加交换偏置场Hex2基本不变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾德长	华南理工大学机械学院	127	548	11.0	17.0
2	于广华	北京科技大学材料物理系	88	372	9.0	14.0
3	李明华	华南理工大学机械学院	21	50	4.0	5.0
5	朱逢吾	北京科技大学材料物理系	54	229	8.0	12.0
6	赖武彦	中国科学院物理研究所	23	143	7.0	11.0