低电压基准电压源

• 作者: 任俊彦 杨励 毛静文 陈廷乾 陈诚
• 来源期刊: 复旦学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 模拟集成电路 带隙基准源 电源抑制比 低电压
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 87-91
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 字数: 519字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0427-7104.2006.01.019

摘要

设计了一个低电源电压的高精密的CMOS带隙电压基准源,采用SMIC 0.18μm CMOS工艺.实现了一阶温度补偿,具有良好的电源抑制比.测试结果表明,在1.5 V电源电压下,电源抑制比为47 dB,在0～80℃的温度范围内,输出电压变化率为0.269%,功耗为0.22 mW,芯片核面积为0.057 mm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任俊彦	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	116	450	11.0	14.0
2	杨励	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	3	4	1.0	2.0
3	陈诚	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	22	144	8.0	11.0
4	陈廷乾	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	3	15	3.0	3.0
5	毛静文	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	4	14	3.0	3.0