780nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs高功率半导体激光器

• 作者: 何国荣 吴旭明 宋国峰 廉鹏 曹玉莲 曹青 王青 陈良惠
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaP/AlGaAs 界面 增益 阈值电流 激光器
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1621-1624
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1837字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.09.022

摘要

采用MOCVD生长了InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料系分别限制异质结构(SCH) 的高功率半导体激光器.对于厚度为10nm 的单量子阱,通过计算量子阱增益谱优化了器件的激射波长. 在室温下外延材料的荧光峰值波长为764nm,由于In原子的记忆效应(In carry-over effect)和As/P的替换作用使材料的InGaP/AlGaAs界面不陡峭,通过在InGaP/AlGaAs间长一层5nm的GaAsP大大改善了界面质量. 器件的阈值电流从界面改善前的560mA 减小到改善后的450mA, 斜率效率也从0.61W/A提高到了0.7W/A, 特别是单面最大输出功率已经从370mW 增加到了940mW,发生灾变性光学损伤时的工作电流已经由原来的1100mA 上升为1820mA.