高反射率p-GaN欧姆接触电极

• 作者: 康香宁 张国义 王琦 章蓓 胡成余 陈志忠
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: p-GaN 欧姆接触 反射电极 两步合金法 激光剥离 垂直结构LED
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 75-79
• 页数: 5页
• 分类号: O482.31|TN312.8
• 字数: 2894字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2006.01.014

摘要

根据光学薄膜原理计算了GaN/Ti/Ag、 GaN/Al和GaN/Ni/Au/Ti/Ag、 GaN/Ni/Au/Al多层电极结构的反射率,得出Ag基和Al基反射电极均能在全角范围内提供较高的反射率.实验测量结果表明,反射率能高于80%的Ag基反射电极,具有低欧姆接触的电学特性.并将GaN/Ni/Au/Ti/Ag多层反射电极应用在上下电极结构的GaN基LED中.实验上采用两步合金法获得了低接触电阻、高反射率的电极结构,并引入Ni/Au覆盖层克服了Ag高温时的团聚和氧化现象.解决了Ag电极的稳定性问题,显著地提高了LED的出光效率,成功制备了具有上下电极结构的GaN基LED管芯.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康香宁		1	9	1.0	1.0
2	章蓓		1	9	1.0	1.0
3	胡成余		2	11	2.0	2.0
4	王琦		1	9	1.0	1.0
5	陈志忠		4	118	3.0	4.0