基于0.25μm GaAs PHEMT工艺的32GHz毫米波单片功率放大器

• 作者: 喻筱静 孙晓玮 张健 李凌云 钱蓉 顾建忠
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 毫米波单片集成电路 功率放大器 赝配高电子迁移率晶体管
• 年，卷（期）: 2006,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2160-2162
• 页数: 3页
• 分类号: TN43
• 字数: 1649字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.12.018

摘要

设计、制造和测试了基于0.25μm栅长GaAs工艺的32GHz毫米波单片功率放大器.该功率放大器采用三级放大,工作电压为6V,工作电流为600mA.带内最大小信号增益为17.4dB,在32GHz具有0.5W的饱和功率输出.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张健	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	272	3714	30.0	51.0
5	孙晓玮	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	97	828	16.0	23.0
6	钱蓉	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	27	212	8.0	13.0
7	李凌云	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	22	86	5.0	8.0
8	喻筱静	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	5	38	3.0	5.0
9	顾建忠	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	7	53	3.0	7.0