时间交叉存取逐次逼近型ADC中的电容自校准技术

• 作者: 吴光林 吴建辉 戚韬 殷勤
• 来源期刊: 东南大学学报(英文版)
• 学科: 工学
• 关键词: 电容自校准 模数转换器 逐次逼近 时间交叉存取
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 页码范围: 164-168
• 页数: 5页
• 分类号: TN4
• 字数: 903字
• 语种: 英文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-7985.2006.02.005

摘要

设计了一种用于逐次逼近型ADC中的电容自校准电路.通过增加一个校准周期,该电容自校准结构即可与原电路并行工作,并可校准电路工作时产生的误差.采用该电路设计了一个用于多通道逐次逼近型结构的10 bit 32 Msample/s模数转换器单元,该芯片在Chart 0.25 μm 2.5 V工艺上实现,总的芯片面积为1.4 mm×1.3 mm.在32 MHz工作时,通过校准后的信噪比仿真结果为59.586 1 dB,无杂散动态范围为70.246 dB.芯片实测,输入频率5.8 MHz时,信噪失真比为44.82dB,无杂散动态范围为63.760 4 dB.