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摘要:
介绍了为保证倒装焊接性能,设备所采取的措施.对比了不同形貌铟柱的优缺点,分析了互连可靠性与铟柱高度的关系,介绍了考核互连可靠性的方法.通过互连技术研究,我们实现了较高性能的倒装互连,互连条件选择温度在60℃~140℃范围,压力范围0.1克/铟柱~0.5克/铟柱.互连连通率>99.9%,互连后的芯片组件在低温(77K)与常温(23℃)间不少于100次的反复冲击的情况下,测试接触性能及InSb二极管性能都无变化,满足了互连器件可靠性要求.
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内容分析
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文献信息
篇名 混成式焦平面阵列芯片倒装互连技术研究
来源期刊 红外技术 学科 工学
关键词 焦平面阵列 倒装互连 可靠性
年,卷(期) 2006,(3) 所属期刊栏目 材料与器件
研究方向 页码范围 125-128
页数 4页 分类号 TN215
字数 2755字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-8891.2006.03.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 龚启兵 7 33 4.0 5.0
2 王海珍 11 33 4.0 4.0
3 郑克霖 4 14 2.0 3.0
4 苏宏毅 4 29 3.0 4.0
5 张国栋 10 49 5.0 6.0
传播情况
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引文网络
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二级参考文献  (0)
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  • 二级引证文献(2)
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2016(2)
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  • 二级引证文献(2)
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2020(2)
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  • 二级引证文献(2)
研究主题发展历程
节点文献
焦平面阵列
倒装互连
可靠性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
红外技术
月刊
1001-8891
53-1053/TN
大16开
昆明市教场东路31号《红外技术》编辑部
64-26
1979
chi
出版文献量(篇)
3361
总下载数(次)
13
总被引数(次)
30858
论文1v1指导