硅基单电子晶体管的制备

• 作者: 张杨 杨富华 韩伟华
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅基单电子晶体管 制备方法 硅-绝缘体技术 电子束曝光
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 73-79
• 页数: 7页
• 分类号: TN321
• 字数: 2852字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2006.02.002

摘要

硅基单电子晶体管是一种极具潜力的新型量子器件.大多数硅基单电子晶体管的制备方法可以很好地与主流的CMOS工艺兼容.介绍了硅基单电子晶体管一些典型的具体制备工艺和方法以及该领域近年来的研究热点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张杨	中国科学院半导体研究所	43	179	7.0	12.0
2	韩伟华	中国科学院半导体研究所	20	98	5.0	9.0
3	杨富华	中国科学院半导体研究所	49	227	9.0	14.0